无锡固电半导体股份有限公司

无锡固电ISC 供应2N6302 三*管 直插三*管 增强型MOS管

是否提供**:是 品牌/商标:ISC 型号/规格:2N6302 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:金属封装

无锡固电ISC 供应BD912 三*管 达林顿三*管 增强型MOS管

是否提供**:是 品牌/商标:ISC 型号/规格:BD912 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:PNP型 集电*允许电流ICM:-20（A） 集电*耗散功率PCM:90（W） 截止频率fT:3（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应2SD1734三*管

品牌/商标:ICS 型号/规格:2SD1734 类别:直插 封装形式:TO-220Fa 应用范围:功率

无锡固电ISC供应2S*689三*管

是否提供**:是 品牌/商标:ISC 型号/规格:2S*689 应用范围:放大 材料:硅(Si) *性:NPN型 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应2SD792三*管

型号/规格:2SD792 应用范围:放大

供应2SD935三*管

型号/规格:2SD935 应用范围:放大

无锡固电ISC 供应三*管BU921P

是否提供**:是 品牌/商标:ISC 型号/规格:BU921P 应用范围:放大 材料:硅(Si) *性:NPN型 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应BUV47AFI三*管

型号/规格:BUV47AFI 应用范围:功率

无锡固电ISC 供应2N6609三*管

是否提供**:是 品牌/商标:ISC 型号/规格:2N6609 应用范围:放大 材料:硅(Si) *性:PNP型 击穿电压VCBO:160（V） 集电*允许电流ICM:16（A） 集电*耗散功率PCM:150（W） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:金属封装

无锡固电ISC 供应BU912三*管

是否提供**:是 品牌/商标:ISC 型号/规格:BU912 应用范围:放大 材料:硅(Si) *性:NPN型 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应BUP22B三*管

型号/规格:BUP22B 应用范围:放大

供应三*管BU109

品牌/商标:isc 型号/规格:BU109 类别:直插 封装形式:TO-3 应用范围:功率

无锡固电ISC 供应TIP126三*管

是否提供**:是 品牌/商标:ISC 型号/规格:TIP126 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:PNP型 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

无锡固电ISC供应2N3447三*管

是否提供**:是 品牌/商标:iscsemi 型号/规格:2N3447 应用范围:放大 材料:硅(Si) *性:N/P型 击穿电压VCBO:60（V） 集电*允许电流ICM:7.5（A） 集电*耗散功率PCM:115（W） 结构:平面型 封装形式:to-3 封装材料:金属封装

无锡固电ISC 供应三*管2SA680

是否提供**:是 品牌/商标:ISC 型号/规格:2SA680 应用范围:放大 材料:硅(Si) *性:PNP型 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:金属封装

无锡固电ISC供应高压复合晶体管 BU941P

是否提供**:是 品牌/商标:ISC/ISCSEMI 型号/规格:BU941P 应用范围:复合 材料:硅(Si) *性:NPN型 集电*允许电流ICM:15（A） 集电*耗散功率PCM:155（W） 结构:平面型 封装形式:TO-*N 封装材料:塑料封装

无锡固电ISC 供应三*管BDW36

是否提供**:是 品牌/商标:ISC 型号/规格:BDW36 应用范围:放大 材料:硅(Si) *性:NPN型 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:金属封装

无锡固电ISC 供应BD649 三*管 普通可控硅三*管 增强型MSO管

是否提供**:是 品牌/商标:ISC 型号/规格:BD649 应用范围:达林顿 材料:硅(Si) *性:NPN型 集电*允许电流ICM:8（A） 集电*耗散功率PCM:62.5（W） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

无锡固电ISC 供应T2142晶体管

是否提供**:是 品牌/商标:isc/iscsemi 型号/规格:T2142 应用范围:达林顿 材料:硅(Si) *性:NPN型 集电*允许电流ICM:6（A） 集电*耗散功率PCM:100（W） 结构:平面型 封装形式:TO-*N 封装材料:塑料封装

无锡固电ISC 达林顿三*管 MJ15003

是否提供**:是 品牌/商标:ISC/ISCSEMI 型号/规格:MJ15003 应用范围:达林顿 材料:硅(Si) *性:NPN型 集电*允许电流ICM:20（A） 集电*耗散功率PCM:250（W） 截止频率fT:2（MHz） 结构:点接触型 封装形式:TO-3 封装材料:金属封装